第436章 451：麻木的观众

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2手机。

    深蓝2S采用的存储内存，同样是深蓝自主研发的KOS内存，相信大家应该都知道，目前为止市场上的存储内存有3种。

    第一种内存就是ec内存，eC（ebeddedultiediaCard）是由C协会针对手机平板制定的闪存标准，起源时间较UFS与NVe还要更早。

    ec基础上由C储存卡发展而来，采用「并行传输」技术制成，读写必须分开执行，虽然仅提供单路读写功能，但仍具备体积小、高度集成与低复杂度的优势。

    这种内存是三种内存里面最落后的，早期手机使用的内存都是这种内存，读取速度一般都在200左右，这个速度相对比机械硬盘已经快很多。

    用在手机上没有什么太大的问题。

    但是在这个科技极致的时代，ec可以说十分落后。

    第二种内存就是USF内存，UFS（UniversalFshStora）最早由JEDEC于2011年推出，采用「串行传输」技术，可同时进行读写操作。

    第一代UFS由于与当时eC标准速度差异不大，且成本较为高昂，因此并未成功普及，直至2014年UFS2.0标准问世后，连续读取速度约达800Bs，。

    相对比ec内存这种内存性能还是十分强悍的。

    不过目前还没人将这种内存用在手机上面。

    第三种内存就是NVe内存，Ve（NVExpress）原先是用在acBook上的SSD固态硬盘的闪存标准，具备高效率、低负载、低延时的特性。

    2015年，苹果首次在iPhone6puls上使用NVe闪存，当时的连续读取速度约为500Bs。

    由于早期Android手机大多使用的是eC5.1标准，因此在连续读取速度方面，iPhone一骑绝尘，这也是iPhone用着不卡，一部手机可以用3-5年的最大原因。

    另外能使用NVe闪存，跟水果A9芯片开始用PCI-E接口有关，后续水果家的iFi、基带都使用PCIE接口，自己家的芯片接口自己定义，其他厂商真的学不来。

    深蓝科技所研发的KOS内存比以上三种内存性能都要强悍。

    KOS内存连续读取速度可以达到5000B，连续写入速度更是可以达到3500B。

    读取时间只需要25微秒，编程时间只需要150微秒，写入速度只需要800微秒，4KB持续随机读高达740000IOPS，4KB持续随机写560000IOPS，读写周期可以达到20万次左右，它的寿命是SLC颗粒内存的一倍。

    KOS内存无论是用在电脑上又或者手机上，相信都可以给大家带来飞一般的感受。」曹莽介绍道。

    无论是直播间观众还是现场观众都被这款芯片性能给惊呆了。

    「每秒钟5000的读取速度？」

    「这种内存读取速度太牛逼了，读取一个4G容量文件，只需要一秒就完成了。」

    「卧槽，莽神再一次放大招。」

    「这两种内存上市的话别的内存应该不用卖了，深蓝科技这次要垄断内存市场了，要是将这两种内存用在电脑上面，那我们的电脑不是可以起飞了？」

    「理论上是可以这么说的，现在CPU已经不是瓶颈，真正的瓶颈是内存和硬盘，用过固态硬盘的朋友都知道，同样都是I76700K，用固态硬盘和机械硬盘是两码事。

    就是赛扬用上固态硬盘和机械硬盘都是两码事。」

    半导体行业的那些大佬们现在都有些麻木了。

    因为(本章未完，请点击下一页继续阅读)
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